TVS二极管

TVS二极管与常见的稳压二极管的工作原理相似，如果高于标志上的击穿电压，TVS二极管就会导通，与稳压二极管相比，TVS二极管有更高的电流导通能力。TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，以10^-12S 量级速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，同时吸收高达数千瓦的浪涌功率。使两极间的电压箝位于一个安全值，有效地保护电子线路中的精密元器件免受浪涌脉冲的破坏。

如上图显示，虚线部分是大的静电能量加到器件上，如果没有ESD保护器件，这个能量足以使得设备很多器件烧毁。而如果有TVS器件的保护，TVS能够优先被击穿使自己处于一个很低内阻状态，能够泄放掉高能量。并且器件本身会呈现出一个比较低的电压，即钳位电压。
大部分手机的工作电压是3.2V~4.2V，如果手机里面的FET所能承受的最大电压是20V，而当瞬态电压侵袭时，电压的最高峰比FET所能承受的电压大出许多，FET被击穿。利用TVS管能把瞬态电压抑制在一个FET能承受的安全水平，例如上图中的9.8V。