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全能封装科技

MIS全能封装科技,2010年10月震撼问世

是的,当您惊叹于MIS封装前所未见的纤薄尺寸、无可比拟的高密度I/O时,更意想不到MIS先进的焊区引入设计,为降低成本创造了更大可能。

极尽犀利,极尽高效,极尽经济——这,就是长电科技MIS专利技术为封装行业带来的一次划时代变革。

独创MIS封装技术提供无以伦比的产品优势

 超小超薄尺寸

 高品质射频电性表现

 BGA的封装密度 + QFN的封装技术

 灵活多样的设计选择

 优越的市场价格竞争力


前所未有的技术拓展

 轻而易举的多圈及全阵列外引脚设计

 芯片I/O数从2到500在同一封装形式上实现

 引线框封装首次获得BGA植球能力

 内层扇入设计显著缩短焊线长度

 支持WB、FC和COL装片及芯片堆叠、封装堆叠设计

 灵活的表面镀层选择(NiAu,NiPdAu,OSP)

 
 
脚注信息
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